Gateis formed by Ti-salicided polys

Gate
is formed by Ti-salicided polysilicon with sheet resistance
lower than 1.5 ohm, which could ensure power swing under
high frequency and low power loss of the large power device
composed of multifinger; hence both efficiency and power
density could be improved.

Kết quả (Việt) 1:

Cổngđược thành lập bởi Ti-salicided polysilicon với tấm khángthấp hơn so với 1,5 ohm, mà có thể đảm bảo sức mạnh swing dướitần số cao và điện năng thấp mất điện thoại lớn điệnbao gồm multifinger; do đó hiệu quả và năng lượngmật độ có thể được cải thiện.

Kết quả (Việt) 2:

Cổng
được hình thành bởi polysilicon Ti-salicided với kháng tờ
thấp hơn 1,5 ohm, mà có thể đảm bảo đu điện dưới
tần số cao và tổn thất điện năng thấp của các thiết bị điện lớn
gồm multifinger; do đó cả hai hiệu quả và sức mạnh
mật độ có thể được cải thiện.