in can be expressed as:where is the

in can be expressed as:
where is the value of the photoelectric cross-section at the source
energy (an energy that has to be slightly higher than is the
cross-section value just above the absorption edge at and is the
value just before the edge.
Integrating Eq. (8.12) over the sample thickness, results in the relationship:
The model of Eq. (8.14) can be generalized to other elements in the
object by measuring the spectrum of various XRF photons expected in
the sample, using one of the spectroscopy detectors described in section
4.5.4.
For small values of i.e. for a thin sample or a low
density target, the count rate, C, becomes:

Kết quả (Việt) 1:

trong, có thể được biểu thị dưới dạng:giá trị của mặt cắt ngang quang điện tại nguồn ở đâunăng lượng (một năng lượng có thể cao hơn một chút hơn là cácmặt cắt ngang giá trị ngay trên sự hấp thu cạnh tại và là cácgiá trị chỉ trước khi các cạnh.Tích hợp Eq. (8,12) trong độ dày mẫu, kết quả trong mối quan hệ:Các mô hình của Eq. (8.14) có thể được tổng quát để các yếu tố khác trong cáccác đối tượng bằng cách đo quang phổ khác nhau XRF photon dự kiến trongmẫu, sử dụng một trong các thiết bị dò phổ học được mô tả trong phần4.5.4.Đối với giá trị nhỏ của tức là cho một mẫu mỏng hoặc một thấpmật độ mục tiêu, tỷ lệ tính, C, trở thành:

Kết quả (Việt) 2:

trong có thể được thể hiện như:
đâu là giá trị của các mặt cắt ngang quang điện tại nguồn
năng lượng (năng lượng có thể cao hơn một chút là các
giá trị cắt ngang ngay trên cạnh hấp thụ tại và là
giá trị ngay trước khi các cạnh
.. Tích hợp Eq (8,12) so với độ dày mẫu, kết quả trong các mối quan
hệ:. Các mô hình của phương trình (8.14) có thể được khái quát hóa cho các yếu tố khác trong các
đối tượng bằng cách đo quang phổ của các photon XRF khác nhau dự kiến trong
mẫu, bằng cách sử dụng một trong các máy dò quang phổ được mô tả trong
phần. 4.5.4
Đối với các giá trị nhỏ tức là cho một mẫu mỏng hoặc thấp
tiêu về mật độ, tốc độ truy cập, C, trở thành: