In this paper, we provide in-detail

In this paper, we provide in-detail simulations and give first experimental evidence of the feasibility of an ultra-compact, CMOS compatible plasmonic SPPAM operated by directly modulating the electron carrier density in a metal-oxide layer

Kết quả (Việt) 1:

Trong bài này, chúng tôi cung cấp trong chi tiết mô phỏng và cho bằng chứng thực nghiệm đầu tiên của tính khả thi của một siêu nhỏ gọn, CMOS tương thích plasmonic SPPAM điều hành bởi trực tiếp điều chỉnh mật độ vận chuyển điện tử trong một lớp ôxít kim loại

Kết quả (Việt) 2:

Trong bài báo này, chúng tôi cung cấp những chi tiết mô phỏng và đưa ra bằng chứng thực nghiệm đầu tiên về tính khả thi của một siêu nhỏ gọn, tương thích CMOS SPPAM plasmon hoạt động bằng cách trực tiếp điều chỉnh mật độ vận chuyển electron trong một lớp kim loại oxit