Based on this electron transport mo

Based on this electron transport model, our interest has been focused on computing the current–volt- age characteristics for AlInN/AlN/GaN HEMTs Fig. 6 shows the saturated drain current as calculated for an AlInN/AlN/GaN HEMT with dAlN =1nm, dAlInN =12nm, Z=50lm, L=0.3lm, T=300K, Rs = 2.3 mm and Rd =2 mm as a function of Vgs at Vds = 10 V and for different In molar fractions.

Kết quả (Việt) 1:

Dựa trên mô hình giao thông vận tải điện tử này, chúng tôi quan tâm đã được tập trung trên máy tính đặc điểm hiện tại-volt-tuổi cho AlN-AlInN-GaN HEMTs hình 6 cho thấy ráo nước bão hòa hiện nay theo tính toán cho một HEMT AlN-AlInN-GaN với dAlN = 1nm, dAlInN = 12nm, Z = 50lm, L = 0.3lm, T = 300 K, Rs = 2.3 mm và Rd = 2 mm là một chức năng của Vgs tại Vds = 10 V và khác nhau trong phần phân đoạn của phân tử.

Kết quả (Việt) 2:

Dựa trên mô hình vận chuyển điện tử này, sự quan tâm của chúng tôi đã tập trung vào tính toán các đặc điểm thời đại hiện nay-volt cho AlInN / AlN / GaN HEMTs hình. 6 cho thấy bão hòa cống hiện như tính cho một AlInN / AlN / GaN HEMT với dAlN = 1nm, dAlInN = 12nm, Z = 50lm, L = 0.3lm, T = 300K, Rs = 2,3 mm và Rd = 2 mm như một chức năng của VGS tại VDS = 10 V và khác nhau trong các phân số mol.