 The well doping concentration mai

 The well doping concentration mainly drifts the threshold voltage of MOS transistors. We call it “well edge proximity effect” (WPE).

Kết quả (Việt) 1:

 doping cũng tập trung chủ yếu là drifts điện áp ngưỡng của MOS transistor. Chúng tôi gọi nó là "tốt cạnh gần effect" (WPE).

Kết quả (Việt) 2:

 Nồng độ cũng doping chủ yếu trôi điện áp ngưỡng của MOS transistor. Chúng tôi gọi nó là "cũng cạnh hiệu ứng lân cận" (WPE).