Before a new row in an active bank

Before a new row in an active bank can be opened, the active bank must be precharged using either the Precharge
command or the auto-precharge function. When a Read or a Write command is given to the DDR2 SDRAM, the CAS
timing accepts one extra address, column address A10, to allow the active bank to automatically begin precharge at
the earliest possible moment during the burst read or write cycle. If A10 is LOW when the READ or WRITE
command is issued, then normal Read or Write burst operation is executed and the bank remains active at the
completion of the burst sequence. If A10 is HIGH when the Read or Write command is issued, then the autoprecharge function is engaged. During auto-precharge, a Read command will execute as normal with the exception
that the active bank will begin to precharge on the rising edge which is CAS latency (CL) clock cycles before the end
of the read burst.
Auto-precharge is also implemented during Write commands. The precharge operation engaged by the Auto
precharge command will not begin until the last data of the burst write sequence is properly stored in the memory
array.
This feature allows the precharge operation to be partially or completely hidden during burst read cycles (dependent
upon CAS latency) thus improving system performance for random data access. The RAS lockout circuit internally
delays the Precharge operation until the array restore operation has been completed (tRAS satisfied) so that the auto
precharge command may be issued with any read or write command.

Kết quả (Việt) 2:

Trước khi một hàng mới trong một ngân hàng hoạt động có thể được mở ra, các ngân hàng hoạt động phải được sạc sẵn bằng cách sử dụng các Precharge
lệnh hoặc chức năng tự động precharge. Khi đọc hoặc lệnh Write được trao cho các SDRAM DDR2, CAS
thời gian chấp nhận một địa chỉ phụ, cột địa chỉ A10, để cho phép các ngân hàng hoạt động để tự động bắt đầu precharge tại
thời điểm sớm nhất có thể trong thời gian bùng nổ đọc hoặc ghi chu kỳ. Nếu A10 là LOW khi READ hoặc WRITE
lệnh được ban hành, sau đó bình thường đọc hoặc viết hoạt động phá được thực thi và các ngân hàng vẫn hoạt động theo
hoàn thành trình tự nổ. Nếu A10 là CAO khi đọc hoặc viết lệnh được ban hành, thì hàm autoprecharge là tham gia. Trong thời gian tự động precharge, một lệnh đọc sẽ thực hiện như bình thường ngoại trừ
rằng các ngân hàng đang hoạt động sẽ bắt đầu precharge trên các cạnh tăng đó là chu kỳ CAS độ trễ (CL) đồng hồ trước khi kết thúc
của cụm đọc.
Auto-precharge cũng được thực hiện trong lệnh Write. Các hoạt động precharge tham gia của Auto
lệnh precharge sẽ không bắt đầu cho đến khi dữ liệu mới nhất của chuỗi bùng nổ ghi được lưu trữ đúng cách trong bộ nhớ
mảng.
Tính năng này cho phép hoạt động precharge được một phần hoặc hoàn toàn ẩn trong nổ đọc chu kỳ (phụ thuộc
vào CAS độ trễ ) do đó cải thiện hiệu năng hệ thống để truy cập dữ liệu ngẫu nhiên. Các khóa mạch RAS nội
trì hoãn hoạt động Precharge cho đến khi mảng khôi phục hoạt động đã được hoàn thành (Tras hài lòng) để auto
lệnh precharge có thể được ban hành với bất kỳ đọc hoặc viết lệnh.