Step 3 : Gate oxide formation stage

Step 3 : Gate oxide formation stage. A thin gate oxide is grown across the wafer. Gate oxide of only tens of silicon oxide atoms thick is created during the fabrication process with the current technology. Gate oxide is the insulator between the transistor’s gate and its channel. Gate oxide refers to the “O” in “MOS” which stands for Metal-OxideSemiconductor.





Step 4 : Gate formation stage. Poly (i.e. poly-silicon) is deposited on the wafer. The poly that are deposited on the gate oxides are the gates of the transistors which are usually known as gate poly. The gate poly will incline upward when it extends over the field oxide. The gate oxide in the active area that are not covered by the gate poly will be etched away to form the source and the drain of the transistor.

Kết quả (Việt) 1:

Bước 3: Cửa các giai đoạn hình thành ôxít. Ôxít mỏng gate được trồng khắp wafer. Gate ôxít của chỉ có hàng chục nguyên tử oxit silic dày được tạo ra trong quá trình chế tạo với công nghệ hiện tại. Gate oxide là chất cách điện giữa transistor gate và kênh của mình. Gate ôxít đề cập đến "O" trong "MOS" là viết tắt của kim loại OxideSemiconductor. Bước 4: Cửa khẩu giai đoạn hình thành. Poly (tức là poly-silic) được gửi trên wafer. Poly được lắng đọng trên cổng oxit là cửa của transistor mà thường được gọi là cổng poly. Gate poly sẽ nghiêng lên trên khi nó kéo dài qua lĩnh vực ôxít. Ôxít gate trong khu vực hoạt động mà không được bảo hiểm do gate poly sẽ được khắc đi để tạo nguồn và cống transistor.

Kết quả (Việt) 2:

Bước 3: Cổng thành oxit sân khấu. Một cổng oxide mỏng được trồng trên wafer. Cổng oxit chỉ có hàng chục nguyên tử oxit silic dày được tạo ra trong quá trình chế tạo với công nghệ hiện tại. Cổng oxit là chất cách điện giữa các cửa khẩu của bóng bán dẫn và các kênh của nó. Cổng oxit đề cập đến chữ "O" trong "MOS" viết tắt của kim loại-OxideSemiconductor.





Bước 4: Cổng hình sân khấu. Poly (tức là poly-silicon) được lắng đọng trên các tấm wafer. Poly được lắng đọng trên các oxit cửa là cửa của các bóng bán dẫn thường được gọi là cổng poly. Cổng nhiều sẽ nghiêng lên khi nó kéo dài trong oxit lĩnh vực. Các oxit cửa trong khu vực hoạt động mà không được bao phủ bởi các cửa nhiều sẽ được khắc đi để hình thành nguồn và cống của bóng bán dẫn.