2.6.4 Summary of Low - Power Techni

2.6.4 Summary of Low - Power Techniques
A key circuit technique for WAUN WTs was presented. Because a WAUN WT operates intermittently, the total power consumption of the terminal strongly depends on the standby leakage current, so minimizing it is essential. We showed that a multithreshold CMOS circuit scheme can attain suffi ciently low standby leakage powerofless than 1μ W.Theschemeishigh lyeffectivewithintermittent operation, and use of it can extend battery life to over 10 years, even if a coin or thin-film battery is used.

Kết quả (Việt) 1:

2.6.4 tóm tắt của thấp - kỹ thuật điệnMột kỹ thuật mạch quan trọng cho WAUN WTs đã được trình bày. Bởi vì một WT WAUN hoạt động liên tục, tiêu thụ tất cả quyền lực của nhà ga mạnh mẽ phụ thuộc vào sự rò rỉ dự phòng hiện tại, do đó giảm thiểu nó là điều cần thiết. Chúng tôi cho thấy một sơ đồ mạch CMOS multithreshold có thể đạt được suffi ciently thấp rò rỉ chờ powerofless hơn 1μ W.Theschemeishigh lyeffectivewithintermittent hoạt động, và sử dụng của nó có thể kéo dài tuổi thọ pin hơn 10 năm trước, ngay cả khi đồng tiền hoặc màng mỏng pin được sử dụng.

Kết quả (Việt) 2:

2.6.4 Tóm tắt của Low - Kỹ thuật điện
Kỹ thuật mạch chính cho WAUN WTS đã được trình bày. Bởi vì một WAUN WT hoạt động liên tục, tổng điện năng tiêu thụ của các thiết bị đầu cuối phụ thuộc rất nhiều vào chế độ chờ rò rỉ hiện nay, vì vậy giảm thiểu nó là điều cần thiết. Chúng tôi đã cho thấy một sơ đồ mạch CMOS multithreshold có thể đạt được suffi ciently thấp powerofless rò rỉ chờ hơn 1μ W.Theschemeishigh hoạt động lyeffectivewithintermittent, và sử dụng nó có thể kéo dài tuổi thọ pin tới hơn 10 năm, ngay cả khi một đồng xu hoặc pin màng mỏng được sử dụng.