Figure 6.13 shows the ID-VGS curves for an NMOS device. When the source and substrate are at the same potential, VSB = 0, the threshold voltage is labeled Vmm (see Eq. [6.17])
Con số 6.13 cho thấy đường cong ID-VGS cho một thiết bị NMOS. Khi các nguồn và bề mặt tiềm năng tương tự, thể = 0, điện áp ngưỡng được dán nhãn Vmm (xem Eq. [6,17])
Hình 6.13 cho thấy đường cong ID-VGS cho một thiết bị NMOS. Khi nguồn và chất nền tại các tiềm năng tương tự, VSB = 0, điện áp ngưỡng được dán nhãn VMM (xem Eq. [6,17])