where VAn and VAp are the magnitude

where VAn and VAp are the magnitudes of the Early voltages of, respectively, the NMOS and PMOS transistors. Unit-size transistors are used with W/L = 12.5 jim/6 /im for the NMOS devices and W/L = 37.5 Lim/6 jim for the PMOS devices. Thus, using Eq. (6.201) together with the 5-Lim CMOS process parameters in Table 4.8, we find m1 = 10 and m2 = m3 = 2 (rounded to the nearest integer). Furthermore, Eq. (6.202) gives Gv = -100 V/V.

Kết quả (Việt) 1:

VAn và Gò Vấp ở đâu magnitudes điện áp đầu số, tương ứng, NMOS và PMOS transistor. Bóng bán dẫn kích thước đơn vị được sử dụng với W/L = 12,5 jim/6 /im NMOS thiết bị và W/L = 37,5 Lim/6 jim thiết PMOS. Vì thế, chúng tôi sử dụng Eq. (6.201) cùng với các thông số quá trình CMOS 5-Lim trong bảng 4.8, tìm m1 = 10 và m2 = m3 = 2 (làm tròn đến số nguyên gần nhất). Hơn nữa, Eq. (6.202) cho Gv =-100 V/V.

Kết quả (Việt) 2:

nơi Vân và VAP là độ lớn của điện áp sớm, tương ứng, NMOS và PMOS transistor. transistor đơn vị kích thước được sử dụng với W / L = 12,5 jim / 6 / im cho các thiết bị NMOS và W / L = 37,5 Lim / 6 jim cho các thiết bị PMOS. Do đó, sử dụng phương trình. (6,201) cùng với các thông số quá trình 5-Lim CMOS trong Bảng 4.8, chúng tôi tìm m1 = 10 và m2 = m3 = 2 (làm tròn đến số nguyên gần nhất). Hơn nữa, phương trình. (6,202) cho Gv = -100 V / V.