satisfies n−m=3l, where l is an int

satisfies n−m=3l, where l is an integer. The difficulty in fabri-cating and separating carbon nanotubes with certain conductance (metallic or semiconducting) greatly hinders its application in nanoelectronics. A previous study proposed a family of metallic carbon nanotubes based on metallic Heackelite sheet (11). It is therefore natural to expect that the penta-graphene–based nanotubes could be semiconducting regardless of chirality. To test this hypothesis we have constructed a series of pentagon-based carbon nanotubes by rolling up the penta-graphene sheet along the (n, m) chiral vectors, wheren=mrange from 2 to 8 (Fig. 5A). The tubes with other chiralities (n≠m) failed to converge to stable tubular structures. We name these pentagon-based carbon nanotubes penta-tubes. The optimized geometry of a (3, 3) penta-tube is illustrated in Fig. 5B. The dynamic and thermal stability of this nanotube is confirmed by carrying out phonon calculations and AIMD simulations, respectively. The results are presented in Fig. 5CandSI Appendix, Fig. S7, re-spectively. We find that not only all of the (n, n) penta-tubes are dynamically robust (SI Appendix, Fig. S8) but also they are thermally stable up to 1,000 K. Analysis of their band structures
and DOS reveals that all of the stable penta-tubes are semi-conducting. The calculated results are summarized in SI Ap-pendix, Table S2. Except for the highly curved (2, 2) penta-tube, the band gaps of the (n, n) penta-tubes are not sensitive to their diameters. Thus, chirality-independent semiconducting carbon nanotubes can be produced for application in nanoelectronics. The semiconducting behavior of penta-tubes can be attributed to the electronic structure of penta-graphene, which resembles the case of other semiconducting monolayers such as h-BN mono-layer and the corresponding nanotubes (40) which inherit the semiconducting feature.
3D Carbon Structures: Stacked Penta-Graphene Layers.To further explore the structural versatility of penta-graphene, we have

Kết quả (Việt) 1:

đáp ứng n−m = 3l, nơi l là một số nguyên. Những khó khăn trong fabri-cating và tách các ống nano cacbon với một số dẫn (kim loại hoặc semiconducting) rất nhiều gây cản trở các ứng dụng của nó trong nanoelectronics. Một nghiên cứu trước đó đã đề xuất một gia đình của các ống nano cacbon kim loại dựa trên kim loại Heackelite tấm (11). Nó là do đó tự nhiên để mong đợi rằng các ống nano penta-graphen-dựa trên có thể semiconducting bất kể chirality. Để thử nghiệm giả thuyết này, chúng tôi đã xây dựng một loạt các ống nano cacbon dựa trên lầu năm góc bởi cán lên bảng penta-graphen dọc theo (n, m) vector chiral, wheren = mrange từ 2 để 8 (hình 5A). Các ống với các chiralities (n≠m) không hội tụ về ổn định cấu trúc hình ống. Chúng tôi đặt tên các ống nano cacbon dựa trên lầu năm góc penta-ống. Hình học tối ưu hóa của một (3, 3) penta-ống được minh họa trong hình 5B. Sự ổn định năng động và nhiệt của nanotube này được xác nhận bằng cách thực hiện tính toán phonon và mô phỏng AIMD, tương ứng. Các kết quả được trình bày trong hình 5CandSI phụ lục, hình. S7, re-spectively. Chúng tôi thấy rằng không chỉ là tất cả các (n, n) ống penta là tự động mạnh mẽ (SI phụ lục, hình. S8) nhưng cũng họ nhiệt ổn định lên đến 1.000 K. phân tích cấu trúc của ban nhạcvà DOS cho thấy rằng tất cả các ổn định penta-ống được bán thực hiện. Kết quả tính toán được tóm tắt trong SI Ap-pendix, bảng S2. Ngoại trừ rất cong (2, 2) penta-ống, các lỗ hổng ban nhạc của các (n, n) ống penta là không nhạy cảm với đường kính của họ. Vì vậy, ống nano cacbon semiconducting chirality-độc lập có thể được sản xuất cho các ứng dụng trong nanoelectronics. Hành vi semiconducting của penta-ống có thể được quy cho cấu trúc điện tử của penta-graphen, tương tự như trường hợp khác monolayers semiconducting chẳng hạn như h-BN mono-lớp và các ống nano tương ứng (40) mà kế thừa các tính năng semiconducting.3D Carbon cấu trúc: xếp chồng lên nhau Penta-graphen Layers.To tiếp tục khám phá cấu trúc linh hoạt của penta-graphen, chúng tôi có

Kết quả (Việt) 2:

đáp ứng n-m = 3l, nơi l là một số nguyên. Khó khăn trong fabri-Cating và tách các ống nano carbon với độ dẫn nhất định (kim loại hoặc bán dẫn) gây cản trở rất nhiều ứng dụng trong điện tử học nano. Một nghiên cứu trước đây đã đề xuất một gia đình của các ống nano carbon kim loại dựa trên tờ Heackelite kim loại (11). Do đó, tự nhiên để hy vọng rằng các ống nano penta-gốc graphene có thể được bán dẫn phân biệt của sự đối xứng. Để kiểm tra giả thuyết này, chúng tôi đã xây dựng một loạt các ống nano carbon ngũ giác dựa trên bằng cách lăn lên các tấm graphene penta-dọc (n, m) vectơ chiral, wheren = mrange 2-8 (Hình 5A.). Các ống với chiralities khác (n ≠ m) không hội tụ về cấu trúc hình ống ổn định. Chúng tôi đặt tên cho các ống nano carbon ngũ giác dựa penta-ống. Hình học tối ưu hóa của một (3, 3) penta-tube được minh họa trong hình. 5B. Sự ổn định năng động và nhiệt của ống nano này được xác nhận bằng cách thực hiện các tính toán phonon và AIMD mô phỏng, tương ứng. Các kết quả được trình bày trong hình. 5CandSI Phụ lục, hình. S7, tái spectively. Chúng tôi thấy rằng không chỉ tất cả các (n, n) penta-ống là động mạnh mẽ (SI Phụ lục, hình. S8) nhưng họ cũng là những tính ổn định nhiệt lên đến 1.000 K. Phân tích cấu trúc ban nhạc của họ
và DOS cho thấy rằng tất cả các ổn định penta-ống là bán dẫn. Các kết quả tính toán được tóm tắt trong SI Ap-pendix, Bảng S2. Ngoại trừ các cao cong (2, 2) penta-ống, khoảng cách ban nhạc của (n, n) penta-ống không nhạy cảm với đường kính của họ. Như vậy, các ống nano carbon bán dẫn đối xứng độc lập có thể được sản xuất cho các ứng dụng trong điện tử học nano. Các hành vi bán dẫn của penta-ống có thể được quy cho các cấu trúc điện tử của penta-graphene, giống như trường hợp của các đơn lớp bán dẫn khác như mono-layer h-BN và các ống nano tương ứng (40) mà kế thừa các tính năng bán dẫn.
3D Carbon cấu trúc: Stacked Penta-Graphene Layers.To tục khám phá những tính linh hoạt cơ cấu của penta-graphene, chúng tôi có