It was found that a single phase of

It was found that a single phase of Cu2O could be obtained by controlling the growth conditions and that nitrogen and silicon could act as p-type dopants in Cu2O with relatively low activation energies in comparison with that of the native acceptors originating from Cu-vacancies. In this paper, we report on the fabrication of n-ZnO/p-Cu2O heterojunctions for photovoltaic applications and the effects of cya- nide (CN) treatment on the electrical properties. Cyanide treatment was recently developed for the pas- sivation of interface states in the Si/SiO2 heterojunctions and trap states in polycrystalline Si [6, 7].

Kết quả (Việt) 1:

Nó được tìm thấy rằng một pha Cu2O có thể thu được bằng cách kiểm soát các điều kiện phát triển và nitơ và silicon có thể hành động như kiểu p tử ở Cu2O với nguồn năng lượng kích hoạt tương đối thấp so với các chất nhận khác ở gốc có nguồn gốc từ củ-vị trí tuyển dụng. Trong bài báo này, chúng tôi báo cáo về chế tạo của n-ZnO/p-Cu2O heterojunctions cho các ứng dụng quang điện và những ảnh hưởng của cya-nide (CN) xử lý trên các sản phẩm điện. Cyanide điều trị mới được phát triển cho pas-sivation giao diện quốc gia ở heterojunctions Si/SiO2 và bẫy kỳ ở polycrystalline Si [6, 7].

Kết quả (Việt) 2:

Nó đã được tìm thấy rằng một giai đoạn duy nhất của Cu2O có thể thu được bằng cách kiểm soát các điều kiện tăng trưởng và nitơ và silicon có thể hành động như p-loại tạp chất trong Cu2O với năng lượng kích hoạt tương đối thấp so với các chất nhận nguồn gốc xuất xứ từ Cu-chỗ trống. Trong bài báo này, chúng tôi báo cáo về việc chế tạo heterojunctions n-ZnO / p-Cu2O cho các ứng dụng quang điện và ảnh hưởng của nide cya- điều trị (CN) trên các tính chất điện. điều trị Cyanide gần đây đã được phát triển cho các sivation pas của bang giao diện trong heterojunctions Si / SiO2 và bang bẫy trong đa tinh thể Si [6, 7].