Structure[edit]Principle diagram of

Structure[edit]

Principle diagram of a transmission gate. The control input ST must be able to take to control depending on the supply voltage and switching voltage different logic levels.
In principle, a transmission gate made up of two field effect transistors, in which - in contrast to traditional discrete field effect transistors - the substrate terminal (Bulk) is not connected internally to the source terminal. The two transistors, an n-channel MOSFET and a p-channel MOSFET are connected in parallel with this, however, only the drain and source terminals of the two transistors are connected together. Their gate terminals are connected to each other via a NOT gate (inverter), to form the control terminal.


Two variants of the "bow tie" symbol commonly used to represent a transmission gate in circuit diagrams.
As with discrete transistors, the substrate terminal is connected to the source connection, so there is a transistor to the parallel diode (body diode), whereby the transistor passes backwards. However, since a transmission gate must block flow in either direction, the substrate terminals are connected to the respective supply voltage potential in order to ensure that the substrate diode is always operated in the reverse direction. The substrate terminal of the p-channel MOSFET is thus connected to the positive supply voltage potential and the substrate terminal of the n-channel MOSFET connected to the negative supply voltage potential.

Function[edit]

Resistance characteristic of a transmission gate. VTHN and VTHP denote those positions at which the voltage to be switched has reached a potential, where the threshold voltage of the respective transistor is reached.
When the control input is a logic zero (negative power supply potential), the gate of the n-channel MOSFET is also at a negative supply voltage potential. The gate terminal of the p-channel MOSFET is caused by the inverter, to the positive supply voltage potential. Regardless of on which switching terminal of the transmission gate (A or B) a voltage is applied (within the permissible range), the gate-source voltage of the n-channel MOSFETs is always negative, and the p-channel MOSFETs is always positive. Accordingly, neither of the two transistors will conduct and the transmission gate turns off.

When the control input is a logic one, so the gate terminal of the n-channel MOSFETs is located at a positive supply voltage potential. By the inverter, the gate terminal of the p-channel MOSFETs is now at a negative supply voltage potential. As the substrate terminal of the transistors is not connected to the source terminal, the drain and source terminals are almost equal and the transistors start at a voltage difference between the gate terminal and one of these conducts.

One of the switching terminals of the transmission gate is raised to a voltage near the negative supply voltage, a positive gate-source voltage (gate-to-drain voltage) will occur at the N-channel MOSFET, and the transistor begins to conduct, and the transmission gate conducts. The voltage at one of the switching terminals of the transmission gate is now raised continuously up to the positive supply voltage potential, so the gate-source voltage is reduced (gate-drain voltage) on the n-channel MOSFET, and this begins to turn off. At the same time, the p-channel MOSFET has a negative gate-source voltage (gate-to-drain voltage) builds up, whereby this transistor starts to conduct and the transmission gate switches.

Thereby it is achieved that the transmission gate passes over the entire voltage range. The transition resistance of the transmission gate varies depending upon the voltage to be switched, and corresponds to a superposition of the resistance curves of the two transistors.

Kết quả (Việt) 2:

Cấu trúc [sửa] sơ đồ nguyên lý của một cổng truyền. Kiểm soát đầu vào ST phải có khả năng thực hiện để kiểm soát phụ thuộc vào nguồn cung cấp điện áp và chuyển mạch điện áp khác nhau mức logic. Về nguyên tắc, một cổng truyền tạo thành hai transistor hiệu ứng trường, trong đó - trái ngược với các transistor hiệu ứng trường rời rạc truyền thống - thiết bị đầu cuối chất nền (Bulk) không được kết nối trong nội bộ để các thiết bị đầu cuối nguồn. Hai bóng bán dẫn, một MOSFET kênh n và p MOSFET kênh được nối song song với điều này, tuy nhiên, chỉ có các cống và nguồn thiết bị đầu cuối của hai bóng bán dẫn được kết nối với nhau. Thiết bị đầu cuối cửa của họ được kết nối với nhau thông qua một cổng NOT (biến tần), để hình thành các thiết bị đầu cuối kiểm soát. Hai biến thể của "nơ" biểu tượng thường được sử dụng để đại diện cho một cổng truyền trong sơ đồ mạch. Như với các bóng bán dẫn rời rạc, các thiết bị đầu cuối chất nền được kết nối với các kết nối nguồn, do đó, có một bóng bán dẫn để các diode song song (diode cơ thể), nhờ đó mà các bóng bán dẫn đi về phía sau. Tuy nhiên, kể từ khi một cổng truyền phải chặn dòng chảy trong hai hướng, các thiết bị đầu cuối chất nền được kết nối với tiềm năng cung cấp điện áp tương ứng để đảm bảo rằng các diode chất nền luôn luôn hoạt động theo hướng ngược lại. Các thiết bị đầu cuối chất nền của MOSFET p-kênh là như vậy, kết nối với các nguồn cung cấp điện áp tích cực tiềm năng và các thiết bị đầu cuối chất nền của MOSFET kênh n kết nối với tiềm năng cung cấp điện áp tiêu cực. Function [sửa] kháng đặc trưng của một cổng truyền. VTHN và VTHP biểu thị những vị trí mà tại đó điện áp được bật đã đạt đến một tiềm năng, nơi điện áp ngưỡng của các bóng bán dẫn tương ứng là đạt. Khi kiểm soát đầu vào là một logic không (tiềm năng cung cấp năng lượng tiêu cực), các cửa khẩu của n- kênh MOSFET cũng là một tiềm năng cung cấp điện áp tiêu cực. Các thiết bị đầu cuối cửa của MOSFET p-kênh được gây ra bởi biến tần, với tiềm năng cung cấp điện áp tích cực. Bất kể trên mà chuyển đổi thiết bị đầu cuối của cổng truyền (A hoặc B) một điện áp được áp dụng (trong phạm vi cho phép), các cổng-nguồn điện áp của MOSFET kênh n luôn là tiêu cực, và MOSFETs p-kênh luôn luôn là tích cực . Theo đó, không những hai bóng bán dẫn sẽ tiến hành và các cổng truyền tắt. Khi kiểm soát đầu vào là một logic một, vì vậy các thiết bị đầu cuối cửa của các MOSFET kênh n được đặt tại một tiềm năng cung cấp điện áp tích cực. Bởi biến tần, thiết bị đầu cuối cửa của MOSFETs p-kênh hiện tại là một tiềm năng cung cấp điện áp tiêu cực. Như nhà ga chất nền của các bóng bán dẫn không kết nối với các thiết bị đầu cuối nguồn, các cống và nguồn thiết bị đầu cuối gần như bằng nhau và các bóng bán dẫn bắt đầu từ một sự khác biệt điện áp giữa các thiết bị đầu cuối cửa và là một trong những hành vi mình. Một trong những thiết bị đầu cuối chuyển đổi của các cổng truyền được nâng lên một điện áp gần nguồn điện áp tiêu cực, một điện áp cổng-nguồn dương (điện áp cổng-to-drain) sẽ xảy ra tại các MOSFET N-kênh, và các bóng bán dẫn bắt đầu tiến hành, và các cổng truyền tiến hành. Điện áp tại một trong những thiết bị đầu cuối chuyển đổi của các cổng truyền hiện nay được nâng lên liên tục lên đến tiềm năng cung cấp điện áp tích cực, vì vậy điện áp cổng-nguồn giảm (điện áp cổng-drain) trên MOSFET kênh n, và điều này bắt đầu để quay tắt. Đồng thời, các MOSFET p-kênh có một điện áp cổng-nguồn âm (cổng đến thoát điện áp) được xây dựng lên, theo đó transistor này bắt đầu tiến hành và các thiết bị chuyển mạch cổng truyền. Qua đó nó có thể đạt được mà các cổng truyền đi qua toàn bộ phạm vi điện áp. Cuộc kháng chiến chuyển tiếp của cổng truyền đổi tùy thuộc vào điện áp được bật, và tương ứng với một sự chồng chất của các đường cong điện trở của hai bóng bán dẫn.