To increase the controllability, GT

To increase the controllability, GTO-Thyristors have been developed, which can be switched off with a voltage peak at the gate. These devices are nowadays replaced by Insulated Gate Commutated Thyristors (IGCT), which combine the advantage of the Thyristor, the low on stage losses, with low switching losses. These semiconductors are used in smaller FACTS devices and drive applications.
The Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is getting more and more importance in the FACTS area. An IGBT can be switched on with a positive voltage and switched off with a zero voltage. This allows a very simple gate drive unit to control the IGBT. The voltage and power level of the applications is on the way to grow up to 300 kV and 1000 MVA for HVDC with Voltage Source Converters. The IGBT capability covers nowadays the whole range of power system applica- tions.

Kết quả (Việt) 1:

Để tăng sự điều khiển, linh kiện thyristor GTO đã được phát triển, mà có thể được tắt với một đỉnh cao điện áp tại cửa khẩu. Các thiết bị này ngày nay được thay thế bởi cách điện cửa Commutated linh kiện thyristor (IGCT), mà kết hợp lợi ích của Thyristor, thấp trên sân khấu tổn thất, thiệt hại nào chuyển đổi thấp. Các chất bán dẫn được sử dụng trong các thiết bị sự kiện nhỏ hơn và các ứng dụng ổ đĩa.Các cách nhiệt Gate lưỡng cực Transistor (IGBT) là nhận được nhiều hơn và nhiều hơn nữa tầm quan trọng trong lĩnh vực sự kiện. Một IGBT có thể được bật lên với một điện áp tích cực và tắt với một điện áp bằng không. Điều này cho phép một cổng rất đơn giản ổ đĩa đơn vị để kiểm soát IGBT. Mức điện áp và quyền lực của các ứng dụng là trên con đường phát triển lên đến 300 kV 1000 MVA cho HVDC với bộ chuyển đổi nguồn điện áp. Khả năng IGBT hiện nay bao gồm phạm vi toàn bộ sức mạnh hệ thống applica-tions.

Kết quả (Việt) 2:

Để tăng khả năng kiểm soát, GTO-Thyristor đã được phát triển, trong đó có thể được tắt với một đỉnh điện áp ở cổng. Các thiết bị này hiện nay được thay thế bởi Cổng cách đảo mạch Thyristor (IGCT), mà kết hợp lợi thế của Thyristor, với mức thấp nhất thiệt hại trên sân khấu, với tổn thất chuyển mạch thấp. Các chất bán dẫn được sử dụng trong các thiết bị FACTS nhỏ hơn và các ứng dụng ổ đĩa.
Các Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) là nhận được nhiều hơn và nhiều hơn nữa tầm quan trọng trong khu vực FACTS. Một IGBT có thể được bật lên với một điện áp tích cực và tắt với một điện áp bằng không. Điều này cho phép một đơn vị ổ đĩa cổng rất đơn giản để điều khiển IGBT. Điện áp và công suất cấp độ của các ứng dụng đang trên đường phát triển lên đến 300 kV và 1.000 MVA cho HVDC với Nguồn ổn áp chuyển đổi. Khả năng IGBT bao gồm ngày nay toàn bộ phạm vi của các ứng dụng hệ thống điện.