Example 5.6 MOSFET characteristic c

Example 5.6 MOSFET characteristic curves.
The circuit of Fig. 5.33 shows a circuit which is suitable to plot the characteristic curves. We run a DC Sweep analysis with VDD as source 1 and VGG as source 2. The DC Sweep Analysis window is shown in Fig. 5.34. We plot -I(vdd) which is the current ID (see Example 5.5 for the details to define - I(vdd)). The window to specify the output variables is shown in Fig. 5.35. After clicking on the Simulate button we obtain the characteristic curves of Fig. 5.36. We note that the curve slope at the saturation region is almost zero.

Kết quả (Việt) 1:

Ví dụ 5.6 MOSFET đường cong đặc trưng.Các mạch hình 5,33 cho thấy một mạch là phù hợp để vẽ các đường cong đặc trưng. Chúng tôi chạy một phân tích DC quét với VDD như nguồn 1 và VGG như là nguồn 2. Cửa sổ DC quét phân tích được thể hiện trong hình 5,34. Chúng tôi âm mưu-I(vdd) mà là ID hiện tại (xem ví dụ 5.5 cho các chi tiết để xác định - I(vdd)). Cửa sổ để xác định các biến đầu ra được thể hiện trong hình 5,35. Sau khi nhấp vào nút Simulate, chúng tôi có được các đường cong đặc trưng của hình 5,36. Chúng tôi lưu ý rằng đường cong dốc tại vùng bão hòa là gần như bằng không.

Kết quả (Việt) 2:

Ví dụ 5.6 MOSFET đường cong đặc trưng.
Các mạch của hình. 5.33 cho thấy một mạch mà là phù hợp để âm mưu các đường cong đặc trưng. Chúng tôi chạy một phân tích DC Sweep với VDD như nguồn 1 và VGG như nguồn 2. Cửa sổ Sweep Phân tích DC được hiển thị trong hình. 5.34. Chúng tôi vẽ -Tôi (VDD) là ID hiện tại (xem Ví dụ 5.5 cho các chi tiết để xác định - I (VDD)). Các cửa sổ để xác định các biến đầu ra được thể hiện trong hình. 5.35. Sau khi nhấp vào nút Simulate chúng ta có được những đường cong đặc trưng của hình. 5.36. Chúng tôi lưu ý rằng độ dốc đường cong ở vùng bão hòa là gần như bằng không.