Devices considered in this bookOnly

Devices considered in this book
Only a small subset of the above devices will be considered in this book, with the
main device to be considered being the HEMT. However, this device presents many
of the challenges experienced when modelling many other devices, and many of the
detailed mathematical and numerical techniques presented for the modelling of the
HEMT will apply to the modelling of other devices. The methods described here
will apply to the following device characteristics:
• Non-uniform doping profiles.
• multi-contacts: source, gate, drain, fieldplate.
• multi-recess.
• Thin layers—tens of nm.
• At least two spatial dimensions. We can often get away with two since devices
are often appreciably longer in the third direction, hence allowing for twodimensional
cross sections.
• mostly uniplolar n-type devices.
• Energy transport.
• Solution of the Schrödinger equation required in quantum wells, with non-constant
mass.

Kết quả (Việt) 1:

Thiết bị được coi là trong cuốn sách nàyChỉ là một tập hợp con nhỏ của các thiết bị ở trên sẽ được xem xét trong cuốn sách này, với cácCác thiết bị chính phải xem xét là HEMT. Tuy nhiên, thiết bị này trình bày nhiềucác thách thức kinh nghiệm khi mô hình nhiều thiết bị khác, và nhiều người trong số cácchi tiết kỹ thuật toán học và số trình bày cho các mô hình của cácHEMT sẽ áp dụng cho mô hình của các thiết bị khác. Các phương pháp mô tả ở đâysẽ áp dụng cho các đặc tính thiết bị sau:• Phòng Không-đồng phục doping hồ sơ.• địa chỉ liên lạc đa: nguồn, cổng, để ráo nước, fieldplate.• đa ngưng.• Lớp mỏng-hàng chục nm.• Ở ít nhất hai chiều không gian. Chúng tôi thường có thể nhận được đi với hai từ thiết bịthường appreciably dài theo hướng thứ ba, do đó cho phép twodimensionalHội chữ thập phần.• chủ yếu là uniplolar n-loại thiết bị.• Vận chuyển năng lượng.• Giải pháp của phương trình Schrödinger cần thiết trong giếng lượng tử, với-constantkhối lượng.

Kết quả (Việt) 2:

Thiết bị xem xét trong cuốn sách này
chỉ có một phần nhỏ của các thiết bị trên sẽ được xem xét trong cuốn sách này, với các
thiết bị chính được coi là HEMT. Tuy nhiên, thiết bị này trình bày rất nhiều
những thách thức kinh nghiệm khi mô hình hóa các thiết bị khác, và rất nhiều các
kỹ thuật toán học và tính toán chi tiết được trình bày cho các mô hình của các
HEMT sẽ áp dụng cho các mô hình của các thiết bị khác. Các phương pháp được mô tả ở đây
sẽ áp dụng cho các đặc điểm thiết bị sau đây:
• hồ sơ doping không thống nhất.
• đa liên hệ:. Nguồn, cổng, cống, fieldplate
. • đa hốc
• Thin lớp-hàng chục nm.
• Ít nhất có hai không gian kích thước. Chúng ta thường có thể nhận được ngay với hai kể từ khi thiết bị
này thường đáng còn theo hướng thứ ba, do đó cho phép twodimensional
mặt cắt ngang.
• thiết bị loại n chủ yếu uniplolar.
• vận chuyển năng lượng.
• Giải pháp của phương trình Schrödinger yêu cầu trong giếng lượng tử, với không -constant
đại chúng.