most diodes today are based on semi

most diodes today are based on semi-conductorp-njunctions. in a p-n diode, conventional current is from the p-type side (the anode) to the n- type side (the cathode) , but not in the opposite direction. another type of semiconductor diode, the schottky diode, is formed from the contact between a metal and a semiconductor ranther than by a p - n junction.
a semiconductor diode's current voltage characteristic, or I - V curve, is related to the transport of carrier thrugh the so called depletion layer or depletion region that exits at the p-n junction between differing
semiconductors. when a p-n junction is first created conduction band (mobile) electrons from the N-doped region diffuse into the p-doped region where there is a large population of holes(places for electrons in which no electron is present)with which the electron " recombine". When a mobile electron recombines with a hole, both hole and electron vanish, leaving behind an immobile positively charged donor (the dopant)on the n-side. the region around the p-n junction becomes depleted of charge carriers and thus behave as an insulator.
however, the width of the depletion region (called the deoletion width)cannot grow without limit. for each electron hole pair that recombine, a positively-charged dopant ion is left behind in the N-doped region. as recombination proceeds and more ions are created, an increasing electric field develops through the depletion zone which acts to slow and the finally stop recombination. at this point, there is a"built-in" potential across the depletion zone. if an external voltage is placed across the diode with the same polarity as the built-in potential, the depletion zone continues to act as an insulator, preventing any significant electric current flow (unless electron / hole pairs are actively being created in the junction by, for instance, light see photodiode. This is the reverse bias phenomenon.However, if the polarity of the external voltage opposes the built -in potential, recombination can once again proceed, resuilting in substantial electric current through the pn junction (i.e substantial numbers of electrons and loles recombine at the junction). For silicon diodes, the built-in potential is approximately 0.6V. thus, if an external current is passed through the diode, about 0.6V will be developed across the diode such that the P-doped region is positive with respect to the N-doped region and the diode is said to be"turn on" as it has a forward bias. A diode's I-V characteristic can be approximated by four region of operation (see the figure at right)

Kết quả (Việt) 2:

hầu hết các điốt ngày nay được dựa trên bán conductorp-njunctions. trong một diode pn, thông thường hiện nay là từ phía p-type (cực dương) ở bên loại n (cực âm), nhưng không phải theo hướng ngược lại. một loại diode bán dẫn, các diode schottky, được hình thành từ sự tiếp xúc giữa kim loại và ranther bán dẫn hơn bởi ap -. n ngã ba
đặc tính điện áp hiện tại một diode bán dẫn, hoặc I - V đường cong, có liên quan đến việc vận chuyển tàu sân bay thrugh lớp cạn kiệt, suy thoái khu vực được gọi là mà thoát ở ngã ba pn giữa khác nhau
chất bán dẫn. khi một tiếp giáp pn là lần đầu tiên tạo ra vùng dẫn (di động) electron từ vùng khuếch tán N-pha tạp vào khu vực p pha tạp, nơi có một số lượng lớn của lỗ (nơi electron trong đó không có điện tử là hiện tại) mà các electron " tái tổ hợp ". Khi một electron di động tái kết hợp với một lỗ, cả hai lỗ và electron biến mất, để lại đằng sau một nhà tài trợ bất động tích điện dương (các dopant) trên n-side. khu vực xung quanh tiếp giáp pn trở nên cạn kiệt của các hạt mang điện và do đó hoạt động như một chất cách điện.
Tuy nhiên, chiều rộng của vùng nghèo (gọi là chiều rộng deoletion) không thể phát triển mà không có giới hạn. cho mỗi cặp lỗ electron tái kết hợp, một ion dopant tích điện dương còn sót lại trong khu vực N-pha tạp. như tiền thu được tái tổ hợp và các ion hơn được tạo ra, một điện trường tăng phát triển thông qua các khu vực suy giảm có tác dụng làm chậm và cuối cùng dừng lại tái tổ hợp. tại thời điểm này, có một "built-in" có tiềm năng trên khu vực cạn kiệt. nếu một điện áp bên ngoài được đặt trên diode với các cực giống như được xây dựng trong tiềm năng, khu vực suy giảm vẫn tiếp tục hoạt động như một chất cách điện, ngăn chặn bất kỳ lưu lượng dòng điện đáng kể (trừ khi cặp electron / lỗ đang tích cực được tạo ra ở ngã ba của Ví dụ, ánh sáng nhìn thấy photodiode. Đây là thiên vị phenomenon.However ngược lại, nếu sự phân cực của điện áp bên ngoài phản đối việc xây dựng -in tiềm năng, tái tổ hợp lại một lần nữa có thể tiến hành, resuilting trong dòng điện đáng kể thông qua các tiếp giáp pn (tức là số lượng đáng kể electron và loles tái tổ hợp ở ngã ba). Đối với các điốt silic, được xây dựng trong tiềm năng là khoảng 0.6V. do đó, nếu một dòng bên ngoài được truyền thông qua các diode, khoảng 0.6V sẽ được phát triển trên diode như vậy mà P- khu vực pha tạp là tích cực đối với khu vực N-pha tạp và diode được cho là "bật" vì nó có một sự thiên vị về phía trước. Một đặc tính của diode IV có thể được xấp xỉ bốn khu vực hoạt động (xem hình bên phải)