at an operating current Ib = 0. Add

at an operating current Ib = 0. Additionally, the junction resistance Rj = 40 k that
results at IT = 0.65 µA can hardly be approximately transformed without loss using
real components at the low-ohmic source impedance of the antenna ZA = 73 +
j 0 . Finally, the influence of the parasitic junction capacitance Cj at such high-ohmic
junction resistances is clearly visible, and shows itself in a further reduction in the
voltage sensitivity, particularly at 2.45 GHz.

Kết quả (Việt) 1:

tại một hoạt động hiện tại Ib = 0. Ngoài ra, các giao lộ kháng Rj = 40 k màkết quả nó = 0,65 µA hầu như không có thể được khoảng chuyển đổi mà không mất sử dụngCác thành phần thực tại trở kháng ohmic thấp nguồn của ăng-ten ZA = 73 +j 0. Cuối cùng, influence điện dung ký sinh junction Cj lúc cao như vậy-ohmicJunction kháng là rõ ràng, và cho thấy chính nó trong một giảm hơn nữa trong cácđiện áp nhạy cảm, đặc biệt là tại 2,45 GHz.

Kết quả (Việt) 2:

tại một hoạt động hiện tại Ib = 0. Ngoài ra, các kháng ngã ba Rj = 40 k mà
kết quả tại IT = 0,65 μA khó có thể xấp xỉ chuyển đổi mà không mất sử dụng
các thành phần thực tại trở kháng nguồn thấp ohmic của ăng ten ZA = 73 +
j 0 . Cuối cùng, trong fl ảnh hướng của ngã ba điện dung ký sinh Cj tại cao ohmic như
điện trở đường giao nhau là thấy rõ ràng và thể hiện bản thân trong một giảm hơn nữa trong
độ nhạy điện áp, đặc biệt là ở 2,45 GHz.