weassume that(Tact+ Tstb)isaconstan

weassume that(Tact+ Tstb)isaconstan twithavalueo f100s,which corresponds to the interval of intermittent operation. Thus, if we want to decrease Ract, we must decrease Tact. To enable a thin film battery to be used for a WAUN WT, Tactshould be as short as 1 ms. One technique that enables such short Tactis a fast-locking PLL circuit scheme [15].
The above scenario, in which Pstbis negligible, is an ideal one and is currently beyond the capability of conventional technology. In consideration of this, the next section focuses on a key technique — a multithreshold complementary metal oxide semiconductor (MTCMOS) [16] circuit scheme — for reducing Pstb.

Kết quả (Việt) 1:

weassume rằng f100s twithavalueo (Tact + Tstb) isaconstan, tương ứng với khoảng thời gian hoạt động liên tục. Vì vậy, nếu chúng ta muốn giảm Ract, chúng tôi phải giảm Tact. Để kích hoạt một màng mỏng pin được sử dụng cho một WAUN WT, Tactshould như ngắn như 1 bà một kỹ thuật cho phép như vậy Tactis ngắn một khóa nhanh PLL mạch đề án [15].Các kịch bản ở trên, trong đó Pstbis không đáng kể, là một trong những lý tưởng và hiện tại là vượt ra ngoài khả năng của công nghệ thông thường. Trong việc xem xét điều này, phần tiếp theo tập trung vào một kỹ thuật chính — một sơ đồ mạch [16] multithreshold oxit kim loại bổ sung bán dẫn (MTCMOS) — để giảm Pstb.

Kết quả (Việt) 2:

weassume đó (Tact + Tstb) isaconstan twithavalueo f100s, tương ứng với khoảng thời gian hoạt động liên tục. Vì vậy, nếu chúng ta muốn giảm Ract, chúng ta phải giảm Tact. Để kích hoạt một pin màng mỏng được sử dụng cho một WAUN WT, Tactshould càng ngắn càng 1 ms. Một kỹ thuật cho phép ngắn Tactis như một mạch PLL đề án nhanh chóng khóa [15].
Các kịch bản trên, trong đó Pstbis không đáng kể, là một trong những lý tưởng và hiện đang vượt quá khả năng của công nghệ thông thường. Trong việc xem xét này, phần tiếp theo tập trung vào một kỹ thuật quan trọng - một bổ sung chất bán dẫn oxit kim loại multithreshold (MTCMOS) [16] mạch sơ đồ - để giảm Pstb.